薄膜生長速率測(cè)試儀的特點(diǎn)有哪些？
更新時(shí)間：2021-10-14 點(diǎn)擊量：1900
薄膜生長速率測(cè)試儀采用無損的激光技術(shù)實(shí)時(shí)原位檢測(cè)薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量（n&k），可廣泛的應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過程的實(shí)時(shí)原位監(jiān)控。
薄膜生長速率測(cè)試儀的特點(diǎn)：
1、實(shí)時(shí)薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)（n&k）分析，同時(shí)標(biāo)準(zhǔn)偏差統(tǒng)計(jì)分析
2、自動(dòng)程序化校準(zhǔn)
3、精密的實(shí)時(shí)反饋系統(tǒng)
4、程序控制，可實(shí)時(shí)多層薄膜沉積監(jiān)控和控制
5、多Wafer監(jiān)控功能
6、Wafer基底旋轉(zhuǎn)監(jiān)控和控制功能
7、所有參量原位實(shí)時(shí)檢測(cè)
8、操作裝配簡(jiǎn)單便捷
