已知不均勻性是在底部界面和鈣鈦礦體內(nèi)部引入的。在這篇文章中，南京大學(xué)譚海仁、吉林大學(xué)張立軍等人發(fā)現(xiàn)了不均勻性的另一個(gè)關(guān)鍵來源——電子傳輸層沉積過程中形成的頂部界面（ETL, C60）。同時(shí)，較差的ETL接口也是限制設(shè)備性能的一個(gè)重要因素。研究團(tuán)隊(duì)通過引入4-fluorophenethylamine（F-PEA）和4-trifluoromethyl-phenylammonium（CF3-PA）的混合物創(chuàng)建定制的二維鈣鈦礦層（TTDL）來解決這個(gè)問題，其中F-PEA在表面形成二維鈣鈦礦，減少了接觸損失和不均勻性，CF3-PA增強(qiáng)了電荷的提取和傳輸。

因此，研究團(tuán)隊(duì)在1.77-eV WBG PSCs中實(shí)現(xiàn)了1.35 V的高開路電壓和20.5%的效率。通過與窄帶隙鈣鈦礦子電池堆疊，報(bào)道了1.05 cm2的全鈣鈦礦疊層電池，其效率為28.5%（認(rèn)證為28.2%），是目前所有報(bào)道中最高的。這項(xiàng)工作展示了處理頂部鈣鈦礦/ETL接觸對(duì)于升級(jí)鈣鈦礦太陽能電池的重要性。

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